El Samsung Galaxy Note 20 contará con las nuevas memorias Samsung eUFS 3.1

, unas memorias con capacidad de 512GB capaces de alcanzar velocidades de hasta 2100MB/s en lectura y 1200MB/s en escritura, con un rendimiento aleatorio de hasta 100.000 IOPS que dejará atrás cualquier memoria eUFS hasta la fecha.

Ahora, Samsung anuncia que el Galaxy Note 20 contará con estas memorias, de forma que a efectos prácticos, una de las mejoras que supondrá optar por el modelo de gama empresarial de la compañía en vez de por cualquiera de los , será este aumento de rendimiento en el sistema de almacenamiento del terminal.

Recordemos que el Samsung Galaxy S20 cuenta con una memoria interna eUFS 3.0 con velocidades de escritura secuencial de 410MB/s y rendimiento aleatorio inferior a los 70.000 IOPS, de forma que será una mejora sustancial de hasta un 30% en rendimiento aleatorio y del triple en operaciones de escritura secuencial pura.

Es de esperar que encontremos otras mejoras respecto al S20, como son el ya clásico S-Pen que caracteriza a los Samsung Galaxy Note desde el lanzamiento de la gama, entre otras cosas, así como mayores tamaños de pantalla, aunque las 6.9 pulgadas de diagonal del podrían suponer un problema en esta dirección.

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